Interpreta la tecnologia d'il·luminació LED des del nivell del xip

Avui, amb el desenvolupament continu de la tecnologia d'il·luminació LED i la creixent importància per a la crisi energètica a la societat, la indústria de la il·luminació LED ha marcat un període d'explosió global, atraient molts fons i empreses. Des de la perspectiva del desenvolupament de la tecnologia d'il·luminació LED, des de tres aspectes, un és el nivell de xip, l'altre és el nivell d'embalatge i l'altre és el nivell d'aplicació. El nivell de xip se centra principalment en la tecnologia de LED; el nivell del paquet és principalment convertir xips LED en làmpades o fonts de llum que es poden utilitzar per il·luminar; Desenvolupament i ús, desenvolupament i millora de la tecnologia d'avaluació de la qualitat de la il·luminació ambiental. A nivell de xip, la força motriu per al desenvolupament de la tecnologia de xip LED sempre es basa en la recerca d'una alta eficiència de la il·luminació. La tecnologia d'instal·lació és una de les principals tecnologies que actualment obtenen xips LED d'alta eficiència i alta potència. El safir en el material del substrat i la tècnica de revestiment làser (LLO) i la nova tecnologia clau de l'estructura vertical que suporta estructures verticals seguiran existint. Dominar. Tanmateix, en un futur proper, s'adopta l'estructura de semiconductor metàl·lic per millorar el contacte d'ohms, millorar la qualitat del cristall, millorar la taxa de migració electrònica i l'eficiència de la injecció elèctrica. Eficiència, l'eficiència total del LED de llum blanca pot arribar al 52%. Amb la millora dels efectes de llum LED, d'una banda, el xip és cada cop més petit i el nombre de fitxes que es poden tallar en una mida determinada és cada cop més gran, reduint així el cost d'un sol xip. En canvi, si ara és de 3W, es desenvoluparà en 5W i 10W en el futur. Això pot reduir el nombre de xips i reduir el cost del sistema d'aplicació en el cost dels requisits d'il·luminació. En resum, el mètode invertit, l'alta tensió i el nitrur de base de silici seguiran sent la direcció de desenvolupament del xip d'il·luminació semiconductor.