ແປເທກໂນໂລຍີໄຟ LED ຈາກລະດັບຊິບ

ປະຈຸບັນ, ດ້ວຍການພັດທະນາຢ່າງບໍ່ຢຸດຢັ້ງຂອງເທັກໂນໂລຍີໄຟ LED ແລະ ຄວາມສຳຄັນທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນຕໍ່ກັບວິກິດການພະລັງງານໃນສັງຄົມ, ອຸດສາຫະກຳແສງ LED ໄດ້ກ້າວເຂົ້າສູ່ໄລຍະການລະເບີດຢ່າງຮອບດ້ານ, ດຶງດູດແຫຼ່ງທຶນ ແລະ ວິສາຫະກິດຫຼາຍແຫ່ງ. ຈາກທັດສະນະຂອງການພັດທະນາເຕັກໂນໂລຢີການເຮັດໃຫ້ມີແສງ LED, ຈາກສາມດ້ານ, ຫນຶ່ງແມ່ນລະດັບຊິບ, ອີກດ້ານຫນຶ່ງແມ່ນລະດັບການຫຸ້ມຫໍ່, ແລະອີກດ້ານຫນຶ່ງແມ່ນລະດັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ. ລະດັບ chip ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນສຸມໃສ່ເຕັກໂນໂລຢີຂອງ LED; ລະດັບຊຸດສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນເພື່ອປ່ຽນຊິບ LED ເຂົ້າໄປໃນໂຄມໄຟຫຼືແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງທີ່ສາມາດນໍາໃຊ້ກັບແສງສະຫວ່າງ; ການພັດທະນາແລະການນໍາໃຊ້, ການພັດທະນາແລະການປັບປຸງເຕັກໂນໂລຊີການປະເມີນຜົນຄຸນນະພາບແສງສະຫວ່າງສິ່ງແວດລ້ອມ. ໃນລະດັບຊິບ, ແຮງຂັບເຄື່ອນສໍາລັບການພັດທະນາເຕັກໂນໂລຊີຊິບ LED ແມ່ນສະເຫມີອີງໃສ່ການສະແຫວງຫາປະສິດທິພາບເຮັດໃຫ້ມີແສງສູງ. ເທກໂນໂລຍີການຕິດຕັ້ງແມ່ນຫນຶ່ງໃນເຕັກໂນໂລຢີຕົ້ນຕໍທີ່ປະຈຸບັນໄດ້ຮັບຊິບ LED ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ. Sapphire ໃນວັດສະດຸ substrate ແລະເຕັກນິກການສາຍ laser (LLO) ແລະເຕັກໂນໂລຊີ keyhered ໃຫມ່ຂອງໂຄງສ້າງແນວຕັ້ງສະຫນັບສະຫນູນໂຄງສ້າງແນວຕັ້ງຈະຍັງ. ປົກຄອງ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ໃນອະນາຄົດອັນໃກ້ນີ້, ໂຄງສ້າງ semiconductor ໂລຫະໄດ້ຖືກຮັບຮອງເອົາເພື່ອປັບປຸງການຕິດຕໍ່ Ohm, ປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງໄປເຊຍກັນ, ປັບປຸງອັດຕາການເຄື່ອນຍ້າຍເອເລັກໂຕຣນິກແລະປະສິດທິພາບສີດໄຟຟ້າ. ປະສິດທິພາບ, ປະສິດທິພາບທັງຫມົດຂອງ LED ແສງສະຫວ່າງສີຂາວສາມາດບັນລຸ 52%. ດ້ວຍການປັບປຸງຜົນກະທົບຂອງແສງ LED, ໃນອີກດ້ານຫນຶ່ງ, ຊິບແມ່ນໄດ້ຮັບຂະຫນາດນ້ອຍແລະຂະຫນາດນ້ອຍ, ແລະຈໍານວນຂອງຊິບທີ່ສາມາດຕັດໄດ້ໃນຂະຫນາດທີ່ແນ່ນອນແມ່ນມີຫຼາຍຂຶ້ນ, ດັ່ງນັ້ນການຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງຊິບດຽວ. ໃນທາງກົງກັນຂ້າມຖ້າມັນເປັນ 3W, ມັນຈະພັດທະນາໃນ 5W ແລະ 10W ໃນອະນາຄົດ. ນີ້ສາມາດຫຼຸດຜ່ອນຈໍານວນຂອງຊິບແລະຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງລະບົບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກກ່ຽວກັບຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງຄວາມຕ້ອງການແສງສະຫວ່າງ. ໃນສັ້ນ, ວິທີການ inverted, ແຮງດັນສູງ, ແລະ silicon base nitride ຈະຍັງຄົງເປັນທິດທາງການພັດທະນາຂອງຊິບໄຟ semiconductor.