Интерпретирайте технологията за LED осветление от нивото на чипа

Днес, с непрекъснатото развитие на технологията за LED осветление и нарастващото значение за енергийната криза в обществото, индустрията за LED осветление постави началото на всеобхватен период на експлозия, привличайки много фондове и предприятия. От гледна точка на развитието на технологията за LED осветление, от три аспекта, едното е нивото на чипа, другото е нивото на опаковката, а другото е нивото на приложението. Нивото на чипа се фокусира главно върху технологията на LED; нивото на пакета е основно за преобразуване на LED чипове в лампи или източници на светлина, които могат да се използват за осветление; Разработване и използване, разработване и подобряване на технологията за оценка на качеството на екологичното осветление. На ниво чип, движещата сила за развитието на технологията за LED чипове винаги се основава на преследването на висока ефективност на осветлението. Инсталационната технология е една от основните технологии, които в момента получават високоефективни LED чипове с висока мощност. Сапфирът в материала на субстрата и техниката за лазерно облицоване (LLO) и новата технология за ключове на вертикалната структура, поддържаща вертикални структури, все още ще бъдат. Упражнявам контрол. Въпреки това, в близко бъдеще металната полупроводникова структура се приема за подобряване на омовия контакт, подобряване на качеството на кристала, подобряване на скоростта на електронна миграция и ефективността на електрическо инжектиране. Ефективност, общата ефективност на LED с бяла светлина може да достигне 52%. С подобряването на LED светлинните ефекти, от една страна, чипът става все по-малък и по-малък, а броят на чиповете, които могат да бъдат нарязани на определен размер, е все повече и повече, като по този начин се намалява цената на един чип. От друга страна, ако сега е 3W, в бъдеще ще се развие в 5W и 10W. Това може да намали броя на чиповете и да намали цената на приложната система спрямо разходите за осветление. Накратко, обърнатият метод, високото напрежение и нитридът на основата на силиций все още ще бъдат посоката на развитие на полупроводниковия осветителен чип.