일부 LED 제조업체와 고객이 고전력 LED 칩을 선택하고 적절한 고전력 LED 칩을 선택하는 것은 까다로운 문제입니다. 참고용으로 몇 가지 방법을 구체적으로 요약했습니다. 첫째: 크기를 늘리는 방법입니다. 효과적인 단일 기능 LED 발광 면적을 늘리고 TCL 층의 균일한 전류 분포를 촉진하고 특별히 설계된 전극 구조(일반적으로 빗질 전극)를 촉진하여 예상되는 자기장 흐름의 크기를 증가시킵니다. 그러나 단순히 조명 면적을 늘리는 것만으로는 열소모 문제와 빛의 근본적인 문제를 해결할 수 없으며 기대한 용접 및 실제 적용 효과를 얻을 수 없습니다. 둘째: 실리콘 바닥판 반전 방식. 우선, 일반적인 수정 용접 전극에 적합한 대형 LED 칩이 있어야 합니다. 동시에 상응하는 크기의 실리콘 베이스를 준비하고 금 공결정 용접층과 전도성 전도층(초음파 금구 커넥터)을 생성합니다. 그런 다음 일반적인 수정 용접 장비의 대형 LED 칩을 실리콘 기판 용접으로 함께 용접합니다. 이 구조는 더 합리적, 즉 조명의 문제와 방열 문제가 고려되었습니다. 셋째: 사파이어 기판 전이 방법. 전통적인 방법에 따라 사파이어 기판의 PN 매듭 후 사파이어 기판에서 성장하는 Ingan 칩을 제거한 다음 전통적인 4 위안 재료에 연결하여 우수한 전극 구조를 가진 대형 청색 LED 칩을 만듭니다. 넷째: 세라믹 바닥판 반전 방식. 먼저 LED 칩 공장 일반 장치를 사용하여 일반적인 수정 용접 전극 구조 및 해당 세라믹 바닥 및 생산의 공결정 주석 도관 층에 적합한 대규모 광 LED 칩을 생성합니다. 대형 LED 칩을 사용하여 일반적인 수정 용접 장비에서 대형 LED 칩과 용접합니다. 이 구조는 빛의 문제를 고려하고 방열 문제를 고려하고 고열전도 세라믹 판, 세라믹 판을 사용하며 방열 효과가 매우 좋고 가격이 비교적 저렴합니다. 따라서 현재 기판에 더 적합합니다. 설치 공간이 남습니다.
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