Wat ass de Chip gëeegent fir High-Power LEDs?

Et ass e schwieregen Thema fir e puer LED Hiersteller a Clienten en High-Power LED Chip ze wielen an de passenden High-Power LED Chip ze wielen. Mir hunn e puer Methoden fir Är Referenz speziell zesummegefaasst. Éischt: Erhéijung Gréisst Method. Erhéije déi effektiv Single-Featured LED-Liicht-Emittéierend Gebitt, förderen d'uniform Verdeelung vum Stroum vun der TCL-Schicht, an déi speziell entworf Elektrodenstruktur (normalerweis gekämmt Elektroden) fir eng Erhéijung vun der Gréisst vum erwaarten Magnéitflossfloss z'erreechen. Wéi och ëmmer, einfach d'Beliichtungsgebitt erhéijen kann net de Problem vum Wärmeverbrauch a Liicht vu fundamentale Probleemer léisen, a kann net den erwaarten Effekt Schweißen an tatsächlech Uwendung erreechen. Zweetens: Silicon ënnen Plack ëmgedréint Method. Als éischt muss et e grousst LED Chip sinn, dee gëeegent ass fir gemeinsame Kristallschweißelektroden. Zur selwechter Zäit preparéieren déi entspriechend Gréisst Siliziumbasis, produzéieren Gold Co-Kristall verschweißte Schicht a konduktiven konduktiv Schicht (ultrasonic gëllen Kugelverbindung). Dann gëtt de grousse LED-Chip vun der gemeinsamer Kristallschweißausrüstung mat Silizium-Substrat-Schweißen zesumme geschweest. Dës Struktur ass méi raisonnabel, dat ass, de Problem vun Beliichtung, an Hëtzt dissipation Problem considéréiert gouf. Drëttens: Saphir Substrat Iwwergangsmethod. Nom PN-Knuet vum Saphir-Substrat no der traditioneller Method, läscht den Ingan-Chip, deen um Saphir-Substrat wächst, a verbënnt dann mat dem traditionelle Véier-Yuan-Material fir e grousst Gréisst bloe LED-Chip mat enger superior Elektrodenstruktur ze kreéieren. Véiert: Keramik ënnen Plack ëmgedréint Method. Éischt benotzt d'LED Chip Fabréck allgemeng Apparat fir eng grouss-Skala Liichtjoer LED Chip ze generéieren gëeegent fir gemeinsam Kristallsglas produzéiert Schweess Elektroden Struktur an der entspriechend Keramik Buedem an der Co-Kristall tin conduitment Schicht vun Produktioun. Benotzt e grousst LED Chip fir mat engem grousse LED Chip an der gemeinsamer Kristallsweisausrüstung ze verschweißen. Dës Struktur berücksichtegt de Problem vum Liicht, a berücksichtegt d'Wärmevergëftungsproblem, a benotzt héich Hëtztleitend Keramikplacke, Keramikplacke, an d'Hëtztvergëftungseffekt ass ganz gutt, an de Präis ass relativ niddereg. Dofir ass et méi gëeegent fir den aktuelle Substrat. Installatioun Plaz ass lénks.