[Globalne ljepljive ruke] Ovo je nevidljivi faktor koji utječe na učinak UVLED zračenja

Tianhui je naišao na mnoge kupce u konsultacijama. Nakon što se ultraljubičasti UVLED izvor svjetlosti ozrači, površina ljepila će i dalje biti ljepljiva. Nakon što je ljepilo podvrgnuto destruktivnom ispitivanju, ustanovljeno je da je ljepilo potpuno stvrdnuto, a sav ljepilo je sav ljepilo. Postao je čvrsto državi. Mnogi ljudi mogu shvatiti da je intenzitet zračenja UVLED izvora svjetlosti nedovoljan na osnovu njihovog vlastitog razumijevanja, a prodavač ljepila možda neće biti dovoljan na osnovu stručnog znanja. Da li je ovo zaista istina? Zapravo ne ovako. Ovdje moramo znati blokiranje kisika! Zatvaranje kiseonika se takođe naziva inhibitorno inhibitorno. Kiseonik u vazduhu će uticati na zračenje i reakcije očvršćavanja gotovo svih materijala koji očvršćavaju zračenjem. Budući da je koncentracija kisika u površinskom sloju najveća, aglomeracija kisika često uzrokuje skrućivanje donjeg sloja, a površina se ne skrući. Test dokazuje da je za lak, energija utrošena očvršćavanjem premaza debljine 1um u zraku veća od 1UM debelog sloja premaza debljine 1um u premazu (5um od površine). Efekat pregovaranja o kiseoniku ne samo da produžava vreme očvršćavanja zračenjem, već takođe može oštetiti važne performanse tvrdoće, otpornosti na abraziju i otpornosti na povrede površinskog sloja, kao što su tvrdoća, otpornost na abraziju i povrede. Osnovno stanje opštih supstanci (tj. stabilno stanje) je jednolinijsko, ali izuzev molekula kiseonika, njegovo stabilno stanje je trolinijsko stanje i postoje dva nedostižna para elektronike u istom smeru okretanja . Stoga se može smatrati da su molekule kisika dvostruki slobodni radikali. Iako je sam kiseonik relativno stabilan i ne može direktno izazvati aglomeraciju akrila na opštoj temperaturi, on će se boriti sa agregatnom reakcijom slobodnih radikala da troše slobodne radikale, stvarajući tako aglomeraciju koja blokira kiseonik. Postoji mnogo metoda za usporavanje metoda blokiranja kisika. Fizička metoda je da se kiseonik iz sistema odstranjuje na različite načine, tako da ne može doći u kontakt sa premazima i filmom premaza. Na primjer, na stanici koja je izložena UVLED-u, duvajte područje ljepila dušikom, zamijenite molekule kisika na površini ljepila i smanjite nakupljanje kisika što je više moguće. Hemijska metoda može dodati čistač kiseonika kao što su unuzamin, sumporlol i pirumin jedinjenja u sistem. Ova jedinjenja se mogu koristiti kao živo telo za snabdevanje vodonikom za reakciju sa peroksidom. Ili koristite niske polimere i aktivne razrjeđivače sa niskom osjetljivošću na kisik, kao što su aktivni razrjeđivači i niski polimeri koji sadrže alpinel, propelinel, eter veze. Vrhunski proizvođači ljepila će prilikom proizvodnje ljepila razmotriti problem blokiranja kisika, kako bi u formulu ljepila dodali odgovarajuće polimere i aktivne razrjeđivače. Da li je tehnologija očvršćavanja ultraljubičastog ljepila uspješna, s jedne strane ovisi o UVLED izvoru svjetlosti, as druge strane ovisi o formuli ultraljubičastog ljepila. Kada se to dvoje kombinira, najisplativije rješenje je primjena plana na industriju u industriji.