暗紫外LED灯珠的原理和特点是什么？

DUVLED灯珠” > 双珠原理及特点 1. 双灯珠发光机理：PN结的端电压形成一定的势垒。 子相散。 由于电子迁移率远大于洞穴迁移率，P区会出现大量电子分布，P区形成少量载流子。 这种电子复合在价格上的洞穴上，通过光能的方式释放能量。 也就是PN头发照明的原理。 DUVLED灯珠线光源固化设备 DUV灯珠线光源固化设备 2. DUV灯珠发光功率：通常称为元件的外量子功率。 组件的内量子功率本来就是组件本身的光电转换功率。 首先涉及元器件本身的特性（如能带、缺陷、杂质等），以及元器件本身的结构和构造。 但是，来自组件的能量是指组件内部产生的光子。 经过元件自身的吸收、折射、反射后，在实际运行中可以测量元件外部进行的光子数。 因此，去除功率的影响因素包括元件本身的吸收率、元件的几何结构、元件与封装元件的折射率差异以及元件结构的散射特性。 其中，内部量子功率是组件提取力的乘积，即组件的整体部分，即组件的外部量子功率。 在组件开发初期，提高内部量子功率。 第一种方法是提高势垒晶体的质量，改变势垒的结构，使电能不易转化为热能，进而直接提高深紫外LED灯珠的发光功率，以及then then then 然后 增加了70%的理论内量子功率，但是这样的内量子功率几乎已经接近理论极限了。 在这种情况下，改进组分的内量子功率不能增加组分的总光，因此提取改进组分成为首要研究课题。 现在的主要方式是：改变颗粒的外部形状 —— TIP结构，改变表面粗糙度。 3. 深紫外LED灯珠电气特性：电流控制器件，负载特性类似于PN结的UI曲线，流入电压的微小变化都会引起正向电流（指标水平）的显着变化。 小，且反向击穿电压高。 您应该选择适合实际使用的方法。 随着温度升高，深紫外LED灯珠的正向电压降低，温度系数为负。 暗紫外LED灯珠消耗电能，部分转化为光能。 这正是我们所需要的。 剩余的热能用来提高结温。 可以用释放的卡路里（功率）来表示。 4. 深紫外LED灯珠光学特性： 深紫外LED灯珠提供半宽单色。 由于半导体的能隙随温度升高而减小，其发光的峰值波长随温度升高而变化。 增加增加，即光谱呈红色，温度系数为2 3A/。 暗紫外LED珠光亮度L随正极电流变化。 增大电流，可以近似灯的亮度；环境温度越高，复合功率越低，发光强度越低，其他发光亮度越低。 深紫外LED灯珠发热特点：电流小，温升不明显。 当环境温度较高时，深紫外发光珠的主波长会发红，亮度下降，发光均匀性下降，一致性变差。 特殊的点阵和大屏幕温升对LED的可靠性和稳定性影响很大。 所以散热设计是关键。 深紫外LED灯珠寿命：深紫外LED灯珠长期工作会导致光老化，尤其是大功率深紫外LED灯珠。 在衡量深紫外LED灯珠的寿命时，仅以灯泡的损坏作为深紫外LED灯珠寿命的损失是不够的。 比如35%，这个比较合理。 大功率深紫外发光二极管封装：首先要考虑散热和出光。 散热方面，采用铜基散热器内衬，再与铝制散热器相连。 晶粒和热衬被焊接。 散热方式较好。 光线方面，选择芯片倒置技巧，加上反光面反射光线破坏底部和侧面的光线，这样可以得到更多的出光。