DUVLEDランプビーズ」
> 二重ビーズの原理と特徴 1. 二重ランプ ビーズの点灯メカニズム: PN ノットの終点電圧は、特定の潜在的な障壁を形成します。 Ziは互いに散らばっています。 電子移動速度は洞窟の再配置速度よりもはるかに大きいため、多数の電子分布が P 領域に現れ、少量のキャリアが P 領域に形成されます。 このタイプのエレクトロニクスは価格の洞窟に配合されており、エネルギーは光エネルギーの方法で放出されます。 それがPNヘアライティングの原理です。 DUVLEDランプライン光源硬化装置 DUVランプビーズライン光源硬化装置 2. DUV ランプ ビーズの発光パワー: 通常、コンポーネントの外部量子パワーと呼ばれます。 部品の内部量子力は、もともと部品自体の光電変換力です。 まず、コンポーネント自体の特性(持ち込むことができる、欠陥、不純物など)、およびコンポーネント自体の構造と構造が関係します。 ただし、コンポーネントからのエネルギーは、コンポーネント内で生成された光子を指します。 コンポーネント自体の吸収、屈折、および反射の後、コンポーネントの外部で実行された光子の数は、実際の操作で測定できます。 したがって、除去力の影響因子には、成分自体の吸収率、成分の幾何学的構造、成分と包装成分の屈折率差、および成分構造の散乱特性が含まれます。 その中で、内部量子力は、コンポーネントの抽出力、つまりコンポーネントの全体的な部分、つまりコンポーネントの外部量子力の積です。 コンポーネント開発の初期段階で、内部量子力を向上させます。 最初の方法は、バリア結晶の品質を向上させ、バリアの構造を変更して、電力エネルギーが熱エネルギーに変換されにくくし、直接深紫外 LED ランプ ビーズの発光力を向上させることです。それから 理論内部量子力を 70% 増加させましたが、内部量子力はほぼ理論限界に近づいています。 この場合、改善成分の内部量子力は成分の総光量を増加させることができないため、進歩的な成分の改善の抽出が主要な研究テーマになります。 現在の主な方法は次のとおりです。粒子の外形を変更します
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TIP構造、表面粗さを変更。 3. 深紫外 LED ランプ ビーズの電気的特性: 電流制御装置、負荷特性は PN ノットの UI 曲線に似ており、流入電圧のわずかな変化が順方向電流 (インデックス レベル) の大幅な変化を引き起こします。 小さく、逆方向ブレークダウン電圧。 実際の使用に適した方法を選択する必要があります。 温度が上昇すると、深紫外 LED ランプ ビーズの順方向電圧が低下し、温度係数は負になります。 暗紫外線 LED ランプ ビーズは電力を消費し、一部が光エネルギーに変換されます。 これはまさに私たちが必要としているものです。 結び目の温度を上げるための残りの熱エネルギー。 放出されるカロリー(パワー)で表すことができます。 4. 深紫外LEDランプビーズの光学特性: 深紫外LEDランプビーズは半幅のモノクロになります。 温度が上昇するにつれて半導体のエネルギーギャップが減少するため、そのルミネセンスのピーク波長は、温度とともに温度とともに変化します。 増加を増やす、つまり、スペクトルは赤で、温度係数は2 3A /です。 暗紫外LEDのパール調の明るさLはプラス電流で変化します。 電流を増やすと、光の明るさを近似できます。周囲温度が高いほど、合成電力が低くなり、光度が低くなり、他の光度が低くなります。 深紫外線 LED ランプ ビーズ発熱特性: 電流が小さいため、温度上昇は明らかではありません。 周囲温度が高いと、深紫外発光ビーズの主波長が赤くなり、明るさが低下し、光の発光均一性が低下し、一貫性が低下します。 特殊なドット マトリックスと大画面の温度上昇は、LED の信頼性と安定性に大きな影響を与えます。 そのため、放熱設計が鍵となります。 深紫外 LED ランプ ビーズの寿命: 深紫外 LED ランプ ビーズの長期的な作業は、光の老化、特に高出力の深紫外 LED ランプ ビーズにつながります。 深紫外 LED ランプ ビーズの寿命を測定する場合、電球の損傷を深紫外 LED ビーズの寿命の損失として使用するだけでは十分ではありません。 たとえば、35% はより妥当です。 ハイパワーDeep UV発光ダイオードのパッケージング:まず、放熱と光の抜けを考えます。 熱放散の観点から、銅ベースのラジエーターライニングが使用され、次にアルミニウムラジエーターに接続されます。 木目とヒートライニングは溶接されています。 放熱方法の方が優れています。 光に関しては、チップ反転スキルを選択し、光を反射する反射面を追加して、下と横からの光を台無しにすることで、より多くの光を得ることができます。
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