Dark Ultraviolet LED Lamp Beads의 원리와 특성은 무엇입니까?

DUVLED 램프 구슬 " > Duvled 구슬 원리 및 특성 1. duvled 램프 구슬의 조명 메커니즘: PN 매듭의 끝 전압은 특정 전위 장벽을 형성합니다. Zi는 서로 흩어져 있습니다. 전자 이동 속도가 동굴의 재배치 속도보다 훨씬 크기 때문에 P 영역에 많은 수의 전자 분포가 나타나고 P 영역에는 소량의 캐리어가 형성됩니다. 이런 종류의 전자제품은 가격에 동굴에 복합되어 빛 에너지라는 방식을 통해 에너지가 방출된다. 즉, PN 헤어라이팅의 원리입니다. DUVLED 램프 라인 광원 경화장치 DUV 램프 비드 라인 광원 경화장치 2. DUV 램프 비드 발광 전력: 일반적으로 부품의 외부 양자 전력이라고 합니다. 구성 요소의 내부 양자 전력은 원래 구성 요소 자체의 광전 변환 전력입니다. 먼저 구성 요소 자체의 특성(불량, 불순물 등을 가져올 수 있음)과 구성 요소 자체의 구조 및 구조를 포함합니다. 그러나 부품에서 나오는 에너지는 부품 내부에서 생성된 광자를 의미합니다. 구성 요소 자체의 흡수, 굴절, 반사 후 구성 요소 외부에서 수행되는 광자 수를 실제 작동에서 측정할 수 있습니다. 따라서 제거력에 영향을 미치는 요인으로는 부품 자체의 흡수율, 부품의 기하학적 구조, 부품과 포장재의 굴절률 차이, 부품 구조의 산란 특성 등이 있다. 그 중 내부 양자력은 부품의 추출력, 즉 부품의 전체적인 부분, 즉 부품의 외부 양자력의 곱이다. 부품 개발 초기 단계에서 내부 양자 전력을 향상시킵니다. 첫 번째 방법은 장벽 결정의 품질을 개선하고 장벽의 구조를 변경하여 전력 에너지가 열 에너지로 변환되기 쉽지 않도록 한 다음 심 자외선 LED 램프 비드의 광도를 직접 향상시키는 것이며, 그런 다음 이론적 내부 양자 전력을 70% 증가시켰지만 내부 양자 전력은 이론적 한계에 거의 근접했습니다. 이 경우 개선 성분의 내부 양자력은 성분의 전체 광량을 증가시킬 수 없기 때문에 진보 성분의 개선 성분 추출이 주요 연구 주제가 된다. 현재 주요 방법은 곡물의 외부 모양을 변경하는 것입니다. —— TIP 구조, 표면 거칠기를 변경합니다. 3. 심자외선 LED 램프 비드 전기적 특성: 전류 제어 장치, 부하 특성은 PN 매듭의 UI 곡선과 유사하며 유입 전압의 최소 변화는 순방향 전류(지수 수준)에 상당한 변화를 일으킵니다. 작고 역 항복 전압. 실제 사용에 적합한 방법을 선택해야 합니다. 온도가 증가함에 따라 심자외선 LED 램프 비드의 순방향 전압이 감소하고 온도 계수는 음수입니다. 어두운 자외선 LED 램프 구슬은 전력을 소비하고 부분적으로 빛 에너지로 변환됩니다. 이것이 바로 우리에게 필요한 것입니다. 나머지 열 에너지는 매듭 온도를 증가시킵니다. 방출된 칼로리(전력)로 나타낼 수 있습니다. 4. 심자외선 LED 램프 비드의 광학적 특성: 심자외선 LED 램프 비드는 반폭 단색을 제공합니다. 반도체의 에너지 갭은 온도가 증가함에 따라 감소하므로 발광의 피크 파장은 온도에 따라 온도에 따라 다릅니다. 증가 증가, 즉 스펙트럼이 빨간색이고 온도 계수는2 3A/입니다. 어두운 자외선 LED 진주 밝기 L은 양의 전류로 변경됩니다. 전류를 높이면 빛의 밝기를 근사화할 수 있습니다. 주변 온도가 높을수록 합성 전력이 낮고 광도가 낮으며 다른 광도는 낮습니다. 심자외선 LED 램프 비드 발열 특성: 작은 전류, 온도 상승은 분명하지 않습니다. 주변 온도가 높으면 심자외선 발광 비드의 주요 파장이 붉어지고 밝기가 감소하며 빛의 광도 균일성이 감소하고 일관성이 나빠집니다. 특수 도트 매트릭스 및 대형 화면 온도 상승은 LED의 신뢰성과 안정성에 큰 영향을 미칩니다. 그래서 방열 설계가 핵심입니다. 심자외선 LED 램프 비드 수명: 심자외선 LED 램프 비드의 장기 작업은 빛의 노화, 특히 고출력 심자외선 LED 램프 비드로 이어질 것입니다. 심자외선 LED 램프 비드의 수명을 측정할 때 전구의 손상을 심자외선 LED 비드의 수명 손실로 사용하는 것만으로는 충분하지 않습니다. 예를 들어 35%라면 이것이 더 합리적입니다. 고출력 심자외선 발광다이오드 패키징: 우선 방열과 빛 차단을 고려합니다. 방열 측면에서 구리 기반 라디에이터 라이닝을 사용한 다음 알루미늄 라디에이터에 연결합니다. 그레인과 히트 라이닝이 용접됩니다. 방열 방법이 더 좋습니다. 빛의 측면에서 칩 반전 기술을 선택하고 반사 표면을 추가하여 빛을 반사하여 바닥과 측면에서 빛을 망쳐 빛을 더 많이 얻을 수 있습니다.