850Nm Infrared Light Emitting Diode, ເຊິ່ງສາມາດບັນລຸ Beam Quasi-straight!

ຜູ້ຜະລິດ Zhuhai ໄດ້ເປີດຕົວ 850nm infrared light-emitting diode, ເຊິ່ງໃຊ້ເລນອອກແບບ optical ທີ່ຊັດເຈນເພື່ອບັນລຸ beam quasi-light. (ປະສິດທິພາບ beam ຫມາຍເຖິງ radius beam ຂະຫນາດນ້ອຍທີ່ມີມຸມ divergence beam ຂະຫນາດນ້ອຍ, ດັ່ງນັ້ນ radius beam ຈະບໍ່ມີການປ່ຽນແປງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຫຼັງຈາກໄລຍະການແຜ່ກະຈາຍສະເພາະໃດຫນຶ່ງ (ປົກກະຕິແລ້ວ beam laser). ຄວາມຍາວຂອງຄວາມຍາວແມ່ນຍາວກວ່າຄວາມຄິດຂອງຄວາມຄິດ. ສໍາລັບການຍົກຕົວຢ່າງ, beam ຂອງ 1064 nm beam, radius beam ຂອງ beam ຢູ່ແອວແມ່ນ 1 mm, ແລະ Ruili ຄວາມຍາວຂອງມັນແມ່ນປະມານ 3 m ໃນອາກາດ. ມ. ເນື່ອງຈາກວ່າຄວາມຍາວຂອງ Ruili ແມ່ນອັດຕາສ່ວນກັບລັດສະໝີສີ່ຫຼ່ຽມມົນຂອງລັດສະໝີແອວ, ລັດສະໝີແອວໃຫຍ່ແມ່ນເອື້ອອໍານວຍຫຼາຍຕໍ່ກັບໄລຍະໄກຂອງລໍາວົງ.) ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂຂອງ 20mA, ຄວາມຍາວຂອງການປ່ອຍອາຍພິດສູງສຸດແມ່ນ. λຄ່າປົກກະຕິຂອງ p ແມ່ນ 850nm ແລະຄ່າປົກກະຕິຂອງພະລັງງານລັງສີແມ່ນ 5MW, ເຊິ່ງມີລັກສະນະຂອງຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືໃນໄລຍະຍາວແລະພະລັງງານສູງ. 850Nm infrared light-emitting diode ມີລັກສະນະແສງສະຫວ່າງຂະຫນານທີ່ດີເລີດ. ມັນສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ບໍ່ພຽງແຕ່ເປັນໄຟ LED ຂະຫນານສໍາລັບການເຂົ້າລະຫັດ, ແຕ່ຍັງສາມາດໄດ້ຮັບການນໍາໃຊ້ໃນຂົງເຂດອຸດສາຫະກໍາ-grade ເຊັ່ນ: ມໍເຕີແລະຫຸ່ນຍົນອຸປະກອນອຸດສາຫະກໍາ. 850Nm infrared light-emitting diode ແມ່ນ encapsulated ກັບແກ້ວແກ້ວເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມທົນທານຂອງຜະລິດຕະພັນ. ອຸປະກອນການ emitting diode ແສງສະຫວ່າງ infrared 850Nm ມີລັກສະນະທີ່ດີເລີດຂອງ heterogeneity, ສະນັ້ນ 850nm infrared light diode emitting diode ສາມາດໄດ້ຮັບຄວາມເຂັ້ມ luminous ຂະຫນາດໃຫຍ່ຢູ່ທີ່ແຮງດັນຂະຫນາດນ້ອຍ, ດັ່ງນັ້ນການປັບປຸງປະສິດທິພາບຂອງລະບົບໂດຍລວມ. ນອກຈາກນັ້ນ, ໃນເວລາທີ່ກະແສບວກແມ່ນ 20mA, ມູນຄ່າຕໍາ່ສຸດທີ່ຂອງ 850nm infrared light emitting diode (ຂະຫນາດຈຸດແສງສະຫວ່າງທີ່ວັດແທກຢູ່ທີ່ 4mm ຢູ່ເທິງສຸດຂອງເລນ) ແມ່ນພຽງແຕ່ 4.0mm, ແລະຄ່າປົກກະຕິແມ່ນ 4.3mm. ມັນເຫມາະສົມຫຼາຍສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີພື້ນທີ່ຈໍາກັດ. ໂດຍເນື້ອແທ້ແລ້ວ, ແຮງດັນໄຟຟ້າດ້ານຫຼັງຂອງ 850nm infrared light-emitting diodes ແມ່ນ 5V, ກະແສບວກແມ່ນ 100mA, ແລະຄ່າສູງສຸດຂອງກະແສໄຟ້ນກັບກັນແມ່ນ. 10 μA, ການບໍລິໂພກພະລັງງານແມ່ນພຽງແຕ່ 150mA, ເຊິ່ງສາມາດຫຼຸດຜ່ອນການບໍລິໂພກພະລັງງານຂອງລະບົບຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ. ລະດັບອຸນຫະພູມປະຕິບັດງານຂອງມັນແມ່ນ -30 C 100 C, ເຊິ່ງສາມາດສະຫນອງຜົນໄດ້ຮັບການວັດແທກທີ່ຖືກຕ້ອງພາຍໃນຂອບເຂດອຸນຫະພູມປະຕິບັດງານທີ່ກວ້າງຂວາງ. 850Nm infrared light emitting diode ຜູ້ຜະລິດຂາຍຍົກ, ຜູ້ຜະລິດ Zhuhai ຂາຍສົ່ງ, ຜະລິດຕະພັນທີ່ດີແມ່ນຢູ່ໃນ Zhuhai. ຄຸນລັກສະນະຜະລິດຕະພັນຂອງຜູ້ຜະລິດ 850nm infrared light emitting diode: 1. ປະສິດທິພາບ LED2, Peak Launch Wavele λP ຄ່າປົກກະຕິຂອງ 850nm3, ພະລັງງານສູງ, ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງ 4. ຄຸນລັກສະນະແສງສະຫວ່າງຂະຫນານທີ່ດີເລີດ 5, ການຫຸ້ມຫໍ່ແກ້ວແກ້ວ 6. ຜູ້ຜະລິດລະບົບປະສິດທິພາບສູງ 850nm infrared light emitting diode ຕົວກໍານົດການດ້ານວິຊາການ: 1. ແຮງດັນໄຟຟ້າປີ້ນກັບກັນ: 5V2, ກະແສຕໍ່: 100mA3, ແຮງດັນຍ້ອນກັບແມ່ນ 5V): ຄ່າສູງສຸດແມ່ນ 10 μA4, ການບໍລິໂພກພະລັງງານ: 150mA5, ຊ່ວງອຸນຫະພູມການເກັບຮັກສາ: -40 110 6. ຊ່ວງອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກ: -30 100 7. ເມື່ອກະແສໄຟຟ້າໄປຂ້າງຫນ້າແມ່ນ 20mA λP​: ຄ່າ​ປົກ​ກະ​ຕິ​ແມ່ນ 850nm9​, ພະ​ລັງ​ງານ​ລັງ​ສີ​: ຄ່າ​ປົກ​ກະ​ຕິ​ແມ່ນ 5MW10​, spectrum bandwidth 50​%​: ຄ່າ​ປົກ​ກະ​ຕິ​ແມ່ນ 25nm11​, ແຮງ​ດັນ​ທາງ​ບວກ​: ຄ່າ​ປົກ​ກະ​ຕິ​ແມ່ນ 1.4V​, ຄ່າ​ສູງ​ສຸດ​ແມ່ນ 1.6V12​. ຂະຫນາດທີ່ມີປະສິດທິພາບ (ຢູ່ທີ່ 4mm ຢູ່ເທິງສຸດຂອງເລນທີ່ວັດແທກຈຸດແສງສະຫວ່າງ): ຄ່າຕໍາ່ສຸດທີ່ແມ່ນ 4.0mm, ແລະຄ່າປົກກະຕິຂອງຜູ້ຜະລິດ 4.3mm 850nm ໂຄງສ້າງພື້ນຖານ: 1. Coder 2, ໄຟຟ້າ 3, ອຸປະກອນອຸດສາຫະກໍາຫຸ່ນຍົນເລືອກຜະລິດຕະພັນ bead ໂຄມໄຟ LED ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ, ທໍາອິດເລືອກທີ່ຖືກຕ້ອງທີ່ເຫມາະສົມ, ສິ່ງທີ່ຖືກຕ້ອງຕ້ອງເປັນແສງສະຫວ່າງຜູ້ຜະລິດລູກປັດ, ຜູ້ຜະລິດ Zhuhai ດີກວ່າ, ຜູ້ຜະລິດມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນການຜະລິດ patch ຕ່າງໆ, infrared, ການໃສ່ໂດຍກົງແລະລູກປັດໂຄມໄຟອື່ນໆ, ສະຫນັບສະຫນູນການປັບແຕ່ງ, ວົງຢືມໃນເວລາທີ່ແທ້ຈິງ, ການໂອນເງິນໃນເວລາທີ່ແທ້ຈິງ, ການຂາຍຍົກທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ, ແມ່ນທາງເລືອກທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງຂອງທ່ານ!