850Nm Infrarout Liicht Emittéierend Diode, déi e Quasi-straight Beam erreechen kann!

Zhuhai Hiersteller hunn 850nm Infrarout Liichtdiode lancéiert, déi Präzisioun optesch Design Lënsen benotzt fir e quasi-Liichtstrahl z'erreechen. (Leeschtungsstrahl bezitt sech op e klenge Strahlradius, deen e klenge Strahldivergenzwénkel huet, sou datt de Strahlradius net wesentlech ännert no enger gewësser Verbreedungsdistanz (normalerweis e Laserstrahl). D'Längt vun der Längt ass méi laang wéi d'Iddi vun der Iddi. Zum Beispill e Strahl vun 1064 nm Strahl, de Strahlradius vum Strahl an der Taille ass 1 mm, a seng Ruili Längt ass ongeféier 3 m an der Loft. Viroen Performance. Well dem Ruili seng Längt proportional zum Quadratradius vum Tailleradius ass, ass de grousse Tailleradius méi hëllefräich fir déi laang Distanz vum Strahl.) Ënnert dem Bedingung vun 20mA ass d'Spëtzemissiounswellelängt λDen typesche Wäert vu p ass 850nm an den typesche Wäert vun der Stralungskraaft ass 5MW, wat d'Charakteristike vu laangfristeg Zouverlässegkeet an héijer Kraaft huet. 850Nm Infrarout Liicht-Emittéierend Diode huet excellent parallel Liichtjoer Charakteristiken. Et kann net nëmmen als Parallel Liicht LED fir den Encoder benotzt ginn, awer och an industrielle Felder wéi Motor- an Industrieausrüstungsroboter benotzt ginn. 850Nm Infrarout Liicht-Emittéierend Diode ass mat Glasobjektiv ëmgeleet fir d'Haltbarkeet vum Produkt ze garantéieren. D'850Nm Infrarout Liicht emittéierend Diode Material huet déi exzellent Charakteristiken vun der Heterogenitéit, sou datt d'850nm Infrarout Liicht emittéiert Diode eng grouss Liichtintensitéit bei enger méi klenger Spannung kritt, doduerch d'Gesamtsystemeffizienz verbessert. Zousätzlech, wann de positiven Stroum 20mA ass, ass de Mindestwäert vun der 850nm Infrarout Liichtdiode (d'Liichtpunktgréisst gemooss op 4mm uewen op der Lens) nëmmen 4.0mm, an den typesche Wäert ass 4.3mm. Et ass ganz gëeegent fir Uwendungen mat limitéierter Plaz. Essenz Déi ëmgedréint Spannung vun den 850nm Infrarout Liichtdioden ass 5V, de positiven Stroum ass 100mA, an de maximale Wäert vum Réckstroum ass 10 μA, de Stroumverbrauch ass nëmmen 150mA, wat de Stroumverbrauch vum System staark reduzéiere kann. Seng Betribstemperatur Gamme ass -30 C 100 C, déi genee Miessunge Resultater bannent der breet Operatioun Temperatur Gamme liwweren kann. 850Nm Infrarout Liicht emittéierend Diode Hiersteller Grousshandel, Zhuhai Hiersteller Grousshandel, gutt Produkter sinn zu Zhuhai. Produkt Charakteristiken vum Hiersteller 850nm Infrarout Liicht Emittéierend Diode: 1. Leeschtung LED2, Peak Launch Wavele λP typesche Wäert vun 850nm3, héich Muecht, héich Zouverlässegkeet 4. exzellente Parallellichteigenschaften 5, Glas Lens Verpackung 6. System Effizienz héich Hiersteller 850nm Infrarout Liicht emittéiert Diode technesch Parameteren: 1. Reverse Volt: 5V2, Forward Stroum: 100mA3, Reverse Stroum (Reverse Volt ass 5V): maximal Wäert ass 10 μA4, Stroumverbrauch: 150mA5, Späichertemperaturbereich: -40 110 6. Aarbecht Temperatur Beräich: -30 100 7. Wann de Forward Stroum 20mA ass λP: Den typesche Wäert ass 850nm9, d'Strahlungskraaft: den typesche Wäert ass 5MW10, d'Spektrumbandbreedung ass 50%: den typesche Wäert ass 25nm11, de positiven Spannung: den typesche Wäert ass 1,4V, de maximale Wäert ass 1,6V12, de effektiv Gréisst (bei 4mm uewen op der Lens gemooss Liichtflecken): De Minimum Wäert ass 4.0mm, an den typesche Wäert vun 4.3mm Fabrikant beschwéiert 850nm Infrastruktur: 1. Coder 2, Electric 3, Industrial Equipment Robot Choix High-Quality LED Lamp Bead Produkter, Wielt als éischt déi richteg richteg, déi richteg Saach muss richteg sinn. direkt Insertion an aner Lampepärelen, Support Personnalisatioun, Echtzäit Zitater, Echtzäit Iwwerweisungen, Héichqualitéit Grousshandel, ass Är héichqualitativ Wiel!